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我国半导体器件型号的命名方法

2020年10月24日 15:08:54 来源:互联网  阅读:-

一、 我国半导体元器件型号规格命名方法

半导体元器件型号规格由五一部分(场效元器件、半导体材料独特元器件、钢丝网骨架、PIN 型管、激光器件的型号规格取名仅有第三、四、五一部分)构成。五个一部分实际意义以下:

第一部分:用数字表示半导体元器件合理电级数量。2-二极管、3-三极管

第二一部分:用拼音字母英文字母表明半导体元器件的原材料和旋光性。表明二极管时:A-N 型锗原材料、B-P 型锗原材料、C-N 型光伏材料、D-P 型光伏材料。表明三极管时:A-PNP 型锗原材料、B-NPN型锗原材料、C-PNP 型光伏材料、D-NPN 型光伏材料。

第三一部分:用拼音字母英文字母表明半导体元器件的内型。P-一般管、V-微波加热管、W-稳压极管、C-参数管、Z-稳压管、L-整流器堆、S-隧道施工管、N-减振管、U-半导体材料、K-开关管、X-低頻小整流管(F3MHz,Pc1W)、A-高频率功率大的管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体材料可控硅(可控性镇流器)、Y-体效用元器件、B-山崩管、J-阶跃修复管、CS-场效管、BT-半导体材料独特元器件、FH-钢丝网骨架、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。

第四一部分:用数字表示编号

第五一部分:用拼音字母英文字母表明规格型号号

比如:三维G18 表明 NPN 型光伏材料高频率三极管

二、日本国生产制造的半导体材料分立器件

由五至七一部分构成。一般仅用到前五个一部分,其各一部分的标记实际意义以下:

第一部分:用数字表示元器件合理电级数量或种类。0-光学(即感光)二极管三极管及所述元器件的组成管、1-二极管、2 三极或具备2个 pn 结的别的元器件、3-具备四个合理电级或具备三个 pn 结的别的元器件、┄┄以此类推。

第二一部分:日本电子行业协会 JEIA 申请注册标示。S-表明已在日本电子行业协会 JEIA 申请注册备案的半导体材料分立器件。

第三一部分:用英文字母表明元器件应用原材料旋光性和种类。A-PNP 型高频率管、B-PNP 型低頻管、C-NPN 型高频率管、D-NPN 型低頻管、F-P 操纵极晶闸管、G-N 操纵极晶闸管、H-N 基极单结晶体三极管、J-P 断面场效管、K-N 断面场效管、M-双向可控硅。

第四一部分:用数字表示在日本电子行业协会 JEIA 备案的序号。俩位之上的整数金额-从“11”刚开始,表明在日本电子行业协会 JEIA 备案的序号;不一样企业的特性同样的元器件能够 应用同一序号;数据越大,越发最近商品。

第五一部分:用英文字母表明同一型号规格的改进版商品标示。A、B、C、D、E、F 表明这一元器件是原形号商品的改善商品。

英国半导体材料分立器件型号规格命名方法

三、英国晶体三极管或别的半导体元器件的命名法较错乱。

英国电子器件行业协会半导体材料分立器件命名方法以下:

第一部分:用标记表明元器件主要用途的种类。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-航宇级、(无)-非军用品。

第二一部分:用数字表示 pn 结数量。1-二极管、2=三极管、3-三个 pn 结元器件、n-n 个 pn 结元器件。

第三一部分:英国电子器件行业协会(EIA)申请注册标示。N-该元器件已在国外电子器件行业协会(EIA)申请注册备案。

第四一部分:英国电子器件行业协会备案序号。多名数据-该元器件在国外电子器件行业协会备案的序号。

第五一部分:用英文字母表明元器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号规格元器件的不一样档别。如:JAN2N3251A 表明 PNP 硅高频率小输出功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 申请注册标示、3251-EIA 备案序号、A-2N3251A 档。

四、 国际电子委员会半导体元器件型号规格命名方法

法国、荷兰、西班牙、西班牙、丹麦等欧洲各国及其奥地利、爱沙尼亚、南斯拉夫、芬兰等欧洲国家,大多数选用国际电子委员会半导体材料分立器件型号规格命名方法。这类命名方法由四个基础一部分构成,各一部分的标记及实际意义以下:

第一部分:用英文字母表明元器件应用的原材料。A-元器件应用原材料的带隙 Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-元器件应用原材料的 Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-元器件应用原材料的 Eg>1.3eV 如氮化镓、D-元器件应用原材料的 Eg<0.6eV 如锑化铟、E-元器件应用高分子材料及光电池应用的原材料

第二一部分:用英文字母表明元器件的种类及关键特点。A-检波电源开关混频二极管、B-变容二极管、C-低頻小输出功率三极管、D-低頻功率大的三极管、E-隧道施工二极管、F-高频率小输出功率三极管、G-复合型元器件以及他元器件、H-磁敏二极管、K-对外开放等效电路中的霍尔传感器、L-高频率功率大的三极管、M-封闭式等效电路中的霍尔传感器、P-感光元器件、Q-发亮元器件、R-小输出功率可控硅、S-小输出功率开关管、T-功率大的可控硅、U-功率大的开关管、X-增长二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

第三一部分:用数字或英文字母加数字表示登记号。三位数据-意味着通用性半导体元器件的备案编号、一个英文字母加二位数据-表明专用型半导体元器件的备案编号。

第四一部分:用英文字母对同一种类号元器件开展分档。A、B、C、D、E┄┄-表明同一型号规格的元器件按某一主要参数开展分档的标示。

除四个基础一部分外,有时候还加后缀名,以差别特点或进一步归类。普遍后缀名以下:

1、稳压二极管型号规格的后缀名。其后缀名的第一部分是一个英文字母,表明平稳工作电压值的允许偏差范畴,英文字母 A、B、C、D、E 各自表明允许偏差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀名第二一部分是数据,表明允差平稳工作电压的整数金额标值;后缀名的第三一部分是英文字母 V,意味着小数位,英文字母 V 以后的数据为稳压极管允差平稳工作电压的小标值。

2、整流二极管后缀名是数据,表明元器件的较大反方向最高值抗压值,企业是安培。

3、晶闸管型号的后缀名也是数据,一般标明较大反方向最高值抗压值和较大反方向关闭工作电压中标值较小的哪个工作电压值。

如:BDX51-表明 NPN 硅低頻功率大的三极管,AF239S-表明 PNP 锗高频率小输出功率三极管。

五、欧州初期半导体材料分立器件型号规格命名法

欧州一些我国,如法国、西班牙选用以下命名方法。

第一部分:O-表明半导体元器件

第二一部分:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光学三极管、AZ-稳压极管、RP-半导体材料。

第三一部分:多名数据-表明元器件的备案编号。

第四一部分:A、B、C┄┄-表明同一型号规格元器件的变形商品。

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